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管式炉衬底MOCVD领域的设计应用

时间:2020-09-16 14:29 点击次数:
 

管式炉衬底MOCVD领域的设计应用
     随着科技的进步第三代半导体也逐渐进入了大家的视野,其中有氮化镓、碳化硅,氮化铝等等。

今天我们就来讲一讲管式炉在第三代半导体衬底材料氮化镓领域的设计应用。

首先管式炉在这一领域的作用是, MO源通过气相沉积在人造蓝宝石面上长氮化镓晶体。管式炉就在这个过程中提供着长晶所需要的温度。

本管式炉采用瑞典进口高温电阻丝为加热元件,最高温度可达1250摄氏度。炉膛结构为两个半圆状,通过高品质铰链链接,客户使用时可将管式炉竖向固定在支架上,方便放至物料的石英管平台放置在加热腔体内。炉膛材料采用日本进口氧化铝多晶陶瓷纤维材料,具有能耗低,保温好的特点。温区采用5温区设计,可根据客户不同要求,配置不同温区长度。可根据客户不同的氮化镓自支撑衬底定制同炉膛尺寸的管式炉。

管式炉在第三代半导体氮化镓衬底MOCVD领域的设计应用

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